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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
16.7
16.2
写入速度,GB/s
11.8
13.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3215
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
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