RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
80
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
80
Velocità di lettura, GB/s
16.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
1775
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link