RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
80
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
80
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
1775
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link