RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
16.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
38
Velocità di lettura, GB/s
16.7
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3030
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link