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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1578
2611
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
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