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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
73
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
66
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2429
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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