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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
73
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
66
读取速度,GB/s
3,510.5
13.9
写入速度,GB/s
1,423.3
13.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2429
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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