RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
2545
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link