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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
52
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3925
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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