RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
比較する
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
52
周辺 -86% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
28
読み出し速度、GB/s
9.8
20.0
書き込み速度、GB/秒
8.0
16.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
3925
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link