RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
49
Velocità di lettura, GB/s
16.7
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2427
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link