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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
11.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
8500
1900
Intorno 4.47% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
45
Velocità di lettura, GB/s
12.7
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
1900
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2387
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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