RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
8500
1900
Wokół strony 4.47% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
1900
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2387
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link