Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 45

Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.7 11.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

8500 1900

Wokół strony 4.47% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1988 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns