RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
8500
1900
Около 4.47% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
1900
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2387
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link