Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 45
    Около 38% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.7 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    8500 left arrow 1900
    Около 4.47% выше полоса пропускания
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 45
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 8.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 1900
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 2387
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения