Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 45

En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.7 11.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

8500 1900

En 4.47% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns