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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
8500
1900
Autour de 4.47% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
1900
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2387
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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