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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
24
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2126
2484
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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