Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 37
    Intorno 22% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.2 left arrow 9.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 13.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.5 left arrow 13.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.2 left arrow 9.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2088 left arrow 2389
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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