RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB против Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
13.9
Скорость записи, Гб/сек
10.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2088
2389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link