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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
29
Velocità di lettura, GB/s
8.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3273
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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