RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 34
    Около -17% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.9 left arrow 5.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.6 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.8 left arrow 12.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1682 left arrow 3273

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
модули RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
модули RAM