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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
36
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
36
Velocità di lettura, GB/s
8.6
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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