RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
36
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
36
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link