Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 37

Intorno 8% latenza inferiore

Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.5 8.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.4 5.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1682 2847

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns