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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
37
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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