RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
34
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
20
Velocità di lettura, GB/s
8.6
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
2939
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link