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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
34
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
23
Velocità di lettura, GB/s
8.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3004
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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