Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 34
    Por volta de -48% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.2 left arrow 8.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.0 left arrow 5.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    34 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.6 left arrow 17.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.8 left arrow 13.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1682 left arrow 3004
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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