Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 34

Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.2 8.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.0 5.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1682 3004

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns