Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 28
    Por volta de -8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.2 left arrow 12.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 8500
    Por volta de 2.51 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.7 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.5 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1988 left arrow 2955
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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