RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
35
Velocità di lettura, GB/s
8.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link