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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2832
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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