RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.4
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link