RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.4
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
4047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston HX316C10F/4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link