RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
3498
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link