RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.4
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
2444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link