RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
2732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link