Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 30

Intorno 7% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 12.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.3 9.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 12800

Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2329 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns