RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
26
Velocità di lettura, GB/s
12.1
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
4005
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link