RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
41
Velocità di lettura, GB/s
12.1
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
2685
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link