RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
40
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
40
Velocità di lettura, GB/s
12.1
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
2125
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link