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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno 51% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
59
Velocità di lettura, GB/s
12.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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