RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link