RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link