RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
30
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link