RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
77
Intorno -221% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
24
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2491
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link