RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link