RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link