RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link