RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
90
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
90
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1743
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link