RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
90
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
90
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1743
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905315-117.A00LF 1GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link