RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3100
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link